東芝、3Dチップ事業を大幅拡大 〜 サンディスクと共同で四日市工場を刷新
- 2014年5月15日
- ハイテク情報
フラッシュ・メモリー市場で首位を走る韓国サムスンを追う東芝は、メモリー業界が注目する三次元(3D)メモリー・チップ技術の開発を本格化させる。
ウォール・ストリート・ジャーナルによると、東芝はその手始めに、米メモリー大手のサンディスク(SanDisk)と共同で運営する四日市の半導体工場第2棟を刷新し、2016年に3D-NANDフラッシュ・メモリーを生産開始する計画だ。
同工場の建て替えでは環境に配慮し、免震構造を採用する。2014年9月に起工し、2015年夏に竣工する見通しだ。
東芝は、その初期コストとして3億9100万ドル(400億円)を投じる。サンディスクも追加投資する見込みだが、その額は公表されていない。
東芝は、従来型NANDメモリーの16倍の容量を持つメモリーを向こう5年間に開発する計画で、それにともなって2015年までの2年間に、過去2年間に費やした開発費の67%増にあたる40億ドルを投資する。
メモリー・メーカーはこれまで、スマートフォンやタブレットに使われるNANDメモリーをいかに小さくするかに心血を注いできた。しかし、技術的な限界に達しつつあることから、三次元構造にすることで容量を一気に引き上げる3D-NANDメモリー技術の開発が注目されている。
調査会社IHSによると、2014年に3D-NANDメモリーがフラッシュ・メモリー総出荷量に占める割合は5.2%にとどまる見通しだ。しかし、その割合は2015年に30.2%に増加し、2017年には全体の3分の2に達するとみられる。
開発競争は大手の間ですでに激化している。サムスンは2013年8月に、3D-NANDメモリーの増産を開始したと発表している。サムスンの製品は、垂直24層までメモリー・セルを重ねることができるという。
また、SKハイニクスは、自社製3D-NANDメモリーの開発を加速させようとしている。
東芝とサンディスクは3D-NANDメモリーの開発を強化すると同時に、従来型NANDメモリーの開発も継続させる。両社は4月に、世界初の15ナノメートル線幅加工技術をNANDメモリー用に開発したと発表。同技術を使ったNANDメモリーは6月にも増産体制に入る予定。
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