IBMほか2社、7nmのチップを開発〜半導体業界初、50％の性能向上を可能に

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IBMほか2社、7nmのチップを開発〜半導体業界初、50％の性能向上を可能に

2015年7月13日
ハイテク情報

　IBMとグローバルファウンドリーズ（Globalfoundries）、そしてサムスン（Samsung）の3社は、半導体業界初の7ナノメートル（nm）ノードのチップを開発した。その結果、低電力での強力な電算力を可能にする新型チップの現実味が一気に大きくなった。

　ビジネス・クラウド・ニュースによると、IBMは、グローバルファウンドリーズならびにサムスンの半導体専門部隊とニューヨーク州立工科大学（SUNY Polytechnic Institute）のナノスケール科学＆工学（Colleges of Nanoscale Science and Engineering）学部で共同研究し、IBM研究部門が開発した数種のシリコン技術の実験を重ねてきた。

　そのなかには、極小世界に応用できる物理的法則の変化に対応するために開発されたシリコン・ゲルマニウム（Silicon Germanium＝SiGe）によるトランジスターや、複数水準の極端紫外線リソグラフィー（Extreme Ultraviolet lithography）が含まれる。

　サーバーやデスクトップ、ラップトップに搭載されているほとんどのマイクロプロセッサーは、22nmか14nmの加工技術で開発されたものだ。モバイル端末向けでは10nmプロセッサーが現在開発されており、7nmの加工技術によるチップはまだ存在しない。

　7nm加工技術によるチップは、現存する最高位のチップの半分の大きさでより優れた性能を可能にする、とIBMは説明する。

　さらに、電力あたりの性能でも、現在出回っているサーバー向け高位チップより50％高い性能を実現する。新型チップは、IBMのメインフレーム向けチップであるパワー（Power）の設計に応用される可能性がある。