フラッシュ・メモリー市場で首位を走る韓国サムスンを追う東芝は、メモリー業界が注目する三次元（3D）メモリー・チップ技術の開発を本格化させる。

　ウォール・ストリート・ジャーナルによると、東芝はその手始めに、米メモリー大手のサンディスク（SanDisk）と共同で運営する四日市の半導体工場第２棟を刷新し、2016年に3D-NANDフラッシュ・メモリーを生産開始する計画だ。

　同工場の建て替えでは環境に配慮し、免震構造を採用する。2014年９月に起工し、2015年夏に竣工する見通しだ。

　東芝は、その初期コストとして３億9100万ドル（400億円）を投じる。サンディスクも追加投資する見込みだが、その額は公表されていない。

　東芝は、従来型NANDメモリーの16倍の容量を持つメモリーを向こう５年間に開発する計画で、それにともなって2015年までの２年間に、過去２年間に費やした開発費の67%増にあたる40億ドルを投資する。

　メモリー・メーカーはこれまで、スマートフォンやタブレットに使われるNANDメモリーをいかに小さくするかに心血を注いできた。しかし、技術的な限界に達しつつあることから、三次元構造にすることで容量を一気に引き上げる3D-NANDメモリー技術の開発が注目されている。

　調査会社IHSによると、2014年に3D-NANDメモリーがフラッシュ・メモリー総出荷量に占める割合は5.2％にとどまる見通しだ。しかし、その割合は2015年に30.2％に増加し、2017年には全体の３分の２に達するとみられる。

　開発競争は大手の間ですでに激化している。サムスンは2013年８月に、3D-NANDメモリーの増産を開始したと発表している。サムスンの製品は、垂直24層までメモリー・セルを重ねることができるという。

　また、SKハイニクスは、自社製3D-NANDメモリーの開発を加速させようとしている。

　東芝とサンディスクは3D-NANDメモリーの開発を強化すると同時に、従来型NANDメモリーの開発も継続させる。両社は４月に、世界初の15ナノメートル線幅加工技術をNANDメモリー用に開発したと発表。同技術を使ったNANDメモリーは６月にも増産体制に入る予定。